| 直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 杨铭,李喜峰,李桂锋,张群.直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究[J].真空,2010,47(5). |
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| 作者姓名： | 杨铭 李喜峰 李桂锋 张群 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(，教育部博士点基金项目，上海市重点学科建设项目(B113)对本研究的资助 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射(XRD)谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜(AFM)测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域(400~700 nm)的平均透射率(未扣除基底)均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm2V-1s-1,载流子浓度4.4×1020 cm-3,平均透射率83%。
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| 关 键 词： | 掺钨氧化铟(IWO) 直流磁控溅射 透明导电氧化物(TCO) |
Effects of process parameters on the properties of W-doped In2O3 transparent conductive thin films prepared by dc magnetron sputtering |
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| YANG Ming,LI Xi-feng,LI Gui-feng,ZHANG Qun.Effects of process parameters on the properties of W-doped In2O3 transparent conductive thin films prepared by dc magnetron sputtering[J].Vacuum,2010,47(5). |
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| Authors: | YANG Ming LI Xi-feng LI Gui-feng ZHANG Qun |
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