| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究 |
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| 引用本文： | 崔玉容,周易,黄敏,王芳芳,徐志成,许佳佳,陈建新,何力.InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究[J].红外与毫米波学报,2023,42(1):8-13. |
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| 作者姓名： | 崔玉容 周易 黄敏 王芳芳 徐志成 许佳佳 陈建新 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（61974152， 61904183， 62222412， 62004205， 62104237） |
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| 摘 要： | 开展了In As/Ga Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析，发现N2O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件，在液氮温度，-0.05 V偏置下，表面处理后暗电流密度从5.88×10-1 A/cm2降低至4.09×10-2 A/cm2，零偏下表面电阻率从17.7Ωcm提高至284.4Ωcm，有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电，这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验，验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后，对表面处理前后的暗电流进行拟合，处理后器件表面电荷浓度为3.72×1011 cm-2。
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| 关 键 词： | 二类超晶格 长波红外探测器 表面处理 暗电流分析 栅控结构 |
| 收稿时间： | 2020/7/9 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/1/4 0:00:00 |
Studies on the surface treatment of InAs/GaSb type-II super-lattice long-wave infrared detectors |
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| CUI Yu-Rong,ZHOU Yi,HUANG Min,WANG Fang-Fang,XU Zhi-Cheng,XU Jia-Ji,CHEN Jian-Xin and HE Li.Studies on the surface treatment of InAs/GaSb type-II super-lattice long-wave infrared detectors[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2023,42(1):8-13. |
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| Authors: | CUI Yu-Rong ZHOU Yi HUANG Min WANG Fang-Fang XU Zhi-Cheng XU Jia-Ji CHEN Jian-Xin and HE Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Type-II superlattice long wavelength photodetectors surface treatment dark current analysis gate-control structure |
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