| 背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究 |
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| 引用本文： | 郝威,郭新立,张艳娟,王蔚妮,张灵敏,王增梅,陈坚,于金.背栅单层石墨烯场效应晶体管的构建及可靠性研究[J].功能材料,2015(1):1022-1026. |
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| 作者姓名： | 郝威 郭新立 张艳娟 王蔚妮 张灵敏 王增梅 陈坚 于金 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学 材料科学与工程学院&江苏省金属高技术重点实验室，南京 211189; 东南大学-张家港工业技术研究院，江苏 张家港 215628
2. 东南大学 材料科学与工程学院&江苏省金属高技术重点实验室,南京,211189 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，苏州市纳米技术专项资助项目 |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。
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| 关 键 词： | 石墨烯 场效应晶体管 滞回行为 |
Study on the construction and reliability of back-gate mono-layer graphene field effect transistor |
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| HAO Wei,GUO Xin-li,ZHANG Yan-juan,WANG Wei-ni,ZHANG Ling-min,WANG Zeng-mei,CHEN Jian,YU Jin.Study on the construction and reliability of back-gate mono-layer graphene field effect transistor[J].Journal of Functional Materials,2015(1):1022-1026. |
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| Authors: | HAO Wei GUO Xin-li ZHANG Yan-juan WANG Wei-ni ZHANG Ling-min WANG Zeng-mei CHEN Jian YU Jin |
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| Affiliation: | HAO Wei;GUO Xin-li;ZHANG Yan-juan;WANG Wei-ni;ZHANG Ling-min;WANG Zeng-mei;CHEN Jian;YU Jin;Jiangsu Key Laboratory of Advanced Metallic Materials,School of Materials Science and Engineering,Southeast University;SEU-ZJG Industrial Technology Research Institute; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene field effect transistors hysteresis |
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