| 纳米半导体材料及其纳米器件研究进展 |
| |
| 引用本文： | 王占国.纳米半导体材料及其纳米器件研究进展[J].半导体技术,2001,26(5):17-19. |
| |
| 作者姓名： | 王占国 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,912信箱 |
| |
| 摘 要： | (接上期第21页)4.2.2量子点激光器
应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点.应用这种技术已制备出量子点激光器,波长覆盖了近红外和红光波段.1992年Ueno等人报道了单层InGaAs/A1GaAs量子点结构,实现了室温激射,阈值电流密度(Jth)为950A/cm2;1994年俄德联合小组首先研制成功InAs/GaAs量子点材料;1996年Alferov等人研制成功有源区为三层结构 (垂直耦合)的量子点激光器,Jth为680A/cm2;同年Ledentsov等人24]又报道了10层垂直耦合InGaAs/GaAs量子点结构激光器,室温Jth为90A/cm2;1997年Ustinov等人又报道了Jth低达60A/cm2的量子点激光器,其结果已接近当前最好的量子阱激光器的性能1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W;1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面)高达3.5W.
|
| 关 键 词： | 纳米材料 半导体材料 纳米器件 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
