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| 中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.昆明物理研究所 |
| 摘 要： | HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。 |
| 关 键 词： | 中波碲镉汞 表面钝化 MIS器件 C-V |
A Study of Interface Electrical Characteristics for MW HgCdTe/Passivation Layer |
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