| 抗总剂量Boost型 DC-DC转换器设计 |
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| 引用本文： | 刘智,宁红英,于洪波,刘佑宝.抗总剂量Boost型 DC-DC转换器设计[J].半导体学报,2011,32(7):075006-6. |
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| 作者姓名： | 刘智 宁红英 于洪波 刘佑宝 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所 |
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| 基金项目： | 总装备部“十一五”预研项目 |
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| 摘 要： | 采用设计加固方法，基于标准商业0.35微米CMOS工艺，设计了抗总剂量Boost型 DC-DC转换器芯片。从系统设计角度出发，综合采用了同步整流、高开关频率、自适应动态斜坡补偿等技术提高DC-DC转换器性能和抗辐照能力；分别从电路级和器件级对转换器进行了加固设计。考虑DC-DC转换器总剂量效应，电路级加固分别从模拟电路加固和数字电路加固着手；提高环路稳定裕度，有效的提高转换器反馈环路的抗总剂量能力。为有效的降低场区辐射寄生漏电，器件级采取的加固措施是转换器的控制部分MOS管采用H栅实现，输出功率MOS管采用环形栅实现。辐照实验结果表明，设计的抗总剂量Boost型 DC-DC转换器在总剂量超过120 krad (Si )后才出现功能失效,而非加固的电路在总剂量超过80 krad (Si )后才出现功能失效；加固电路的辐照后电流明显小于非加固电路；加固电路的辐照后效率也高于非加固电路。
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| 关 键 词： | CMOS工艺 总剂量辐射 升压转换器 加固设计 DC 硬化 单片 MOS晶体管 |
Design of a Total-Dose Radiation Hardened Monolithic CMOS DC-DC Boost Converter |
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| Liu Zhi,Ning Hongying,Yu Hongbo and Liu Youbao.Design of a Total-Dose Radiation Hardened Monolithic CMOS DC-DC Boost Converter[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(7):075006-6. |
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| Authors: | Liu Zhi Ning Hongying Yu Hongbo and Liu Youbao |
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| Affiliation: | 1 Xi＇an Institute of Microelectronics Technology,Xi＇an 710054,China 2 Xi＇an TAIYI Electronic Co.,Ltd,Xi＇an 710054,China 3 Xi＇an University of Technology,Xi＇an 710048,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC-DC Power Converter Boost Converter PWM Radiation-Hardening by Design Radiation Hardened Total Dose |
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