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| Bi_2O_3掺杂对BLTN微波介质陶瓷性能影响研究 | |
| 作者单位： | ;1.清华大学深圳研究生院;2.深圳顺络电子股份有限公司 |
| 摘 要： | 主要采用固相反应法,将原料粉体经过混料、球磨、预烧、成型和烧结后制备Ba_3La_2Ti_2Nb_2O_(15)(BLTN)微波介质陶瓷。研究了不同量的Bi_2O_3掺杂对BLTN微波介质陶瓷烧结行为、显微结构和介电性能的影响。结果表明:Bi_2O_3的添加不仅能有效降低BLTN陶瓷的烧结温度,而且显著提高了其相对介电常数(ε_r)和品质因数。当Bi_2O_3添加量为0.2%(质量分数)时,陶瓷的烧结温度由1440℃降低到1360℃,并呈现较好的微波介电性能:ε_r=55,Q·f=13 500 GHz(4.71 GHz),τ_f=–2.35×10~(-6)℃~(-1)。 |
| 关 键 词： | BLTN 微波介质陶瓷 Bi_2O_3 掺杂 烧结行为 介电性能 |
Effect of Bi_2O_3 doping on properties of BLTN microwave dielectric ceramics |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
