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| 高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试 | |
| 引用本文： | 李国强,谷智,介万奇. 高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试[J]. 半导体学报, 2003, 24(8) |
| 作者姓名： | 李国强 谷智 介万奇 |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
| 摘 要： | 通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0.9Zn0.1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0.9Zn0.1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系. |
| 关 键 词： | Cd1-xZnxTe 布里奇曼法 电阻率 红外透过率 结晶质量 |
Growth of High Resistance Cd1-xZnxTe Crystal and Its Property Investigations |
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