| SiO2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响 |
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| 引用本文： | 何杰,孙清池.SiO2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响[J].压电与声光,2008,30(2):224-227. |
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| 作者姓名： | 何杰 孙清池 |
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| 作者单位： | 天津大学,材料科学与工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 探讨了低温烧结时SiO2掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)压电陶瓷性能的影响,通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3 w(SiO2)(w=0.05%~0.30%,质量分数)陶瓷的相组成和显微结构。结果表明,合成温度900℃时,可得到钙钛矿结构。w(SiO2)不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存,随着w(SiO2)的增加,三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w(SiO2)=0.10%时,得到电性能优良的压电陶瓷,相对介电常数3Tε3/0ε=1 290,介质损耗tanδ=0.4%,压电常数d33=264 pC/N,机电耦合系数kp=0.59,机械品质因数Qm=3 113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低,谐振频率随温度的变化几乎都是正。
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| 关 键 词： | 压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SiO2 低温烧结 |
| 文章编号： | 1004-2474(2008)02-0224-04 |
| 修稿时间： | 2006年12月7日 |
Properties of Low Temperature Sintering SiO2-Modified PMSZT Piezoelectric Ceramics |
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| HE Jie,SUN Qing-chi.Properties of Low Temperature Sintering SiO2-Modified PMSZT Piezoelectric Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2008,30(2):224-227. |
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| Authors: | HE Jie SUN Qing-chi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | piezoelectric ceramics lead antimony-manganese zirconate titanate silica low temperature sintering |
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