| 空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取 |
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| 引用本文： | 熊晨荣,王燕,陈培毅,余志平.空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取[J].清华大学学报(自然科学版),2005,45(1):133-136. |
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| 作者姓名： | 熊晨荣 王燕 陈培毅 余志平 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家"九七三"基础研究基金项目(2002CB311907);国家自然科学基金资助项目(69836020,10075029);国家教育振兴计划资助项目(JZ2001010) |
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| 摘 要： | 共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件.采用超高真空外延技术,以p型重掺杂硅为衬底生长出以4 nm厚Si0.6Ge0.4层为空穴量子阱、以4 nm厚Si层为空穴势垒的双势垒单量子阱结构.然后用常规半导体器件工艺制成了空穴型共振隧穿二极管.在室温下对面积为8 μm×8 μm的共振隧穿二极管进行测量,其峰值电流密度为45.92 kA/cm2, 电流峰谷比为2.21. 根据测量得到的电流电压特性考虑串联电阻的影响,提取出共振隧穿二极管的直流参数.可以利用这些参数将共振隧穿二极管的直流模型加入SPICE电路模拟软件器中进行共振隧穿二极管电路设计.
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 SiGe 负微分电阻 曲线拟合 |
| 文章编号： | 1000-0054(2005)01-0133-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月30 |
p-well Si/SiGe-based resonant tunneling diode DC parameters |
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| XIONG Chenrong,WANG Yan,CHEN Peiyi,Yu Zhiping.p-well Si/SiGe-based resonant tunneling diode DC parameters[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2005,45(1):133-136. |
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| Authors: | XIONG Chenrong WANG Yan CHEN Peiyi Yu Zhiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resonant tunneling diodes (RTD) SiGe negative differential resistance curve fitting |
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