| 在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜 |
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| 引用本文： | 邢玉梅,陶凯,俞跃辉,郑志宏,杨文伟,宋朝瑞,沈达身.在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜[J].功能材料,2004,35(6):736-738. |
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| 作者姓名： | 邢玉梅 陶凯 俞跃辉 郑志宏 杨文伟 宋朝瑞 沈达身 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050
2. 美国阿拉巴马大学,电子与计算机工程系,亨茨维尔,AL,35899,美国 |
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| 基金项目： | 美国国家自然科学基金资助项目(INT 0004547) |
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| 摘 要： | 用电子束蒸发氧化铪靶的方法．在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜，随后在氮气中进行快速退火(600℃．300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构．研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化．结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态，薄膜中的O／Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能．证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。
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| 关 键 词： | SOI材料 氧化铪 薄膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)06-0736-03 |
| 修稿时间： | 2003年12月5日 |
Preparation of high-quality HfO2 thin films on SOI materials |
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| XING Yu-mei,TAO Kai,YU Yue-hui,ZHENG Zhi-hong,YANG Wen-wei,SONG Zhao-rui,SEHNG Da-shen.Preparation of high-quality HfO2 thin films on SOI materials[J].Journal of Functional Materials,2004,35(6):736-738. |
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| Authors: | XING Yu-mei TAO Kai YU Yue-hui ZHENG Zhi-hong YANG Wen-wei SONG Zhao-rui SEHNG Da-shen |
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| Affiliation: | XING Yu-mei~1,TAO Kai~1,YU Yue-hui~1,ZHENG Zhi-hong~1,YANG Wen-wei~1,SONG Zhao-rui~1,SEHNG Da-shen~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI materials HfO_2 films |
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