| 高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 秦明,樊路加,VincentPoon,C Y Yuen.高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响[J].半导体学报,2002,23(6):571-576. |
| |
| 作者姓名： | 秦明 樊路加 VincentPoon C Y Yuen |
| |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 南京210096
(秦明，樊路加)，香港科技大学电机与电子工程系 香港
(VincentPoon)，香港科技大学电机与电子工程系 香港(C.Y.Yuen) |
| |
| 摘 要： | 采用标准双栅 CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管 ,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄膜晶体管性能的影响 .实验发现不同的温度处理 ,将引起器件性能的显著变化 .在10 0 0℃预处理温度下获得了最好的器件性能 .10 0 0℃在 NMOS管中测得的电子迁移率达 314 cm2 / (V· s) ,分别比在 110 0℃和未做高温处理下的大 10 %和 2 2 % .10 0 0℃下器件的最大开关电流比也达到了 3× 10 8.对器件的进一步重复性研究证实了上述结果的可靠性
|
| 关 键 词： | 镍诱导横向晶化 薄膜晶体管 高温处理 |
Influence of High Temperature Treatment on the Performance of Nickel-Induced Laterally Crystallized Thin Film Transistors |
| |
| Qin Ming ,Fan Lujia ,Vincent Poon and C Y Yuen.Influence of High Temperature Treatment on the Performance of Nickel-Induced Laterally Crystallized Thin Film Transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(6):571-576. |
| |
| Authors: | Qin Ming Fan Lujia Vincent Poon and C Y Yuen |
| |
| Affiliation: | Qin Ming 1,Fan Lujia 1,Vincent Poon 2 and C Y Yuen 2 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | nickel induced lateral crystallization thin film transistor high temperature treatment |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
