| 低偏振灵敏度半导体光放大器 |
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| 引用本文： | 段子刚,张哲民,刘德明,黄德修,金锦炎,杨新民,王彩玲.低偏振灵敏度半导体光放大器[J].中国激光,2000,27(3):203-205. |
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| 作者姓名： | 段子刚 张哲民 刘德明 黄德修 金锦炎 杨新民 王彩玲 |
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| 作者单位： | 1. 华中理工大学光电子工程系,武汉,430074
2. 武汉电信器件公司,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在 150mA的偏置下 ,获得了 2 4dB的小信号增益和 1dB的偏振灵敏度。
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 偏振灵敏度 应变量子阱 小信号增益 |
| 收稿时间： | 1998/10/7 |
Semiconductor Optical Amplifier with Low Polarization Sensitivity |
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| Duan Zigang,Zhang Zhemin,Liu Deming,Huang Dexiu,Jin Jinyan,Yang Xinmin,Wang Cailing.Semiconductor Optical Amplifier with Low Polarization Sensitivity[J].Chinese Journal of Lasers,2000,27(3):203-205. |
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| Authors: | Duan Zigang Zhang Zhemin Liu Deming Huang Dexiu Jin Jinyan Yang Xinmin Wang Cailing |
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| Abstract: | This paper reports 1.31 μm waveband semiconductor optical amplifier (SOA) based on tensile strained quantum wells and compress strained quantum wells. For TM mode the gain is enhanced by tensile strained quantum wells, the SOA performs with low polarization sensitivity. Under the condition of 150 mA bias current, the SOA shows 24 dB small signal gain and 1 dB polarization sensitivity. |
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| Keywords: | semiconductor optical amplifier polarization sensitivity strained quantum wells small signal gain |
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