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磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒
引用本文:陈金华,薛成山,庄惠照,秦丽霞,李红,杨兆柱.磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒[J].功能材料,2008,39(4):557-559.
作者姓名:陈金华  薛成山  庄惠照  秦丽霞  李红  杨兆柱
作者单位:山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014
摘    要:使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒.采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分.研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒.最后讨论了GaN纳米棒的生长机理.

关 键 词:纳米棒  GaN  溅射  单晶
文章编号:1001-9731(2008)04-0557-02
修稿时间:2007年9月14日

Catalytic synthesis of GaN nanorods by magnetron sputtering and ammoniating technique
CHEN Jin-hua,XUE Cheng-shan,ZHUANG Hui-zhao,QIN Li-xia,LI Hong,YANG Zhao-zhu.Catalytic synthesis of GaN nanorods by magnetron sputtering and ammoniating technique[J].Journal of Functional Materials,2008,39(4):557-559.
Authors:CHEN Jin-hua  XUE Cheng-shan  ZHUANG Hui-zhao  QIN Li-xia  LI Hong  YANG Zhao-zhu
Abstract:
Keywords:
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