| 动力学蒙特卡罗法体硅湿法刻蚀工艺仿真的研究与开发 |
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| 引用本文： | 戴乐薇,幸研,仇晓黎,汤文成.动力学蒙特卡罗法体硅湿法刻蚀工艺仿真的研究与开发[J].中国制造业信息化,2009,38(9). |
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| 作者姓名： | 戴乐薇 幸研 仇晓黎 汤文成 |
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| 作者单位： | 东南大学,机械工程学院,江苏,南京,211189 |
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| 摘 要： | 对比分析了BKL、二叉树搜索以及树状结构搜索算法(KLS) 3种动力学蒙特卡罗法的实现过程,讨论了它们在MEMS各向异性湿法刻蚀工艺仿真计算中的应用,阐述了应用特点.使用树状结构搜索算法实现了加工仿真程序,以(111)晶面的原子移除过程为例,解释了蒙特卡罗法在刻蚀中的计算特点.开发的系统模拟了(311)晶面在KOH刻蚀中表面形貌的演化过程,刻蚀面能够很好地再现出表面的微观特征.基于KLS的方法能对湿法硅微结构工艺进行仿真计算,不同刻蚀阶段的微结构能与实验结果相一致,较为合理准确.
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| 关 键 词： | 蒙特卡罗 单晶硅 湿法腐蚀 表面形态 |
Development of Kinetic Monte Carlo Simulation for the Wet Anisotropic Etching of Silicon Crystalline |
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| DAI Le-wei,XING Yan,QIU Xiao-li,TANG Wen-cheng.Development of Kinetic Monte Carlo Simulation for the Wet Anisotropic Etching of Silicon Crystalline[J].Manufacture Information Engineering of China,2009,38(9). |
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| Authors: | DAI Le-wei XING Yan QIU Xiao-li TANG Wen-cheng |
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| Affiliation: | Southeast University;Jiangsu Nanjing;211189;China |
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| Abstract: | This study discusses the BKL,binary tree search and K level search(KLS)kinetic Monte Carlo(KMC)algorithms for the simulation of silicon wet anisotropic etching.It introduces the properties of three different approaches.A tree search KMC program is fulfilled to simulation anisotropic etching.Considering the etching procedure of(111)surface as an example,it explaines the calculation process of KMC.In simulating the evolution of surface morphology on(311)orientation,this tree based algorithm can get the correc... |
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| Keywords: | Mont Carlo Simulation Single Crystal Silicon Wet Chemical Etching Surface Morphology |
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