| 衬底温度对ITO/Ga2O3深紫外透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 李厅,闫金良,丁星伟,张丽英.衬底温度对ITO/Ga2O3深紫外透明导电薄膜性能的影响[J].半导体学报,2012,33(1):013002-5. |
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| 作者姓名： | 李厅 闫金良 丁星伟 张丽英 |
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| 作者单位： | 鲁东大学,鲁东大学,鲁东大学,鲁东大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 用磁控溅射的方法在石英玻璃上制备了ITO/Ga2O3双层膜。用X射线衍射仪、扫描电镜、双光束分光光度计和霍尔效应测试仪研究了衬底温度对ITO/Ga2O3双层膜的结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。双层膜结构受衬底温度的影响,当衬底温度从100C 升高到 350C时,薄膜的电阻率由6.71′10-3 Ω.cm 降到 1.91′10-3 Ω.cm。衬底温度300C制备的ITO(22nm)/Ga2O3(50nm)双层膜的面电阻为373.3Ω,在300nm波长的深紫外透过率为78.97%。
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| 关 键 词： | 透明导电膜 双层膜 深紫外 磁控溅射 氧化镓 铟锡氧化物 |
| 收稿时间： | 6/23/2011 4:10:25 PM |
| 修稿时间： | 8/30/2011 4:15:40 PM |
Effect of substrate temperature on the properties of deep ultraviolet transparent conductive ITO/Ga2 |
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| Li Ting,Yan Jinliang,Ding Xingwei and Zhang Liying.Effect of substrate temperature on the properties of deep ultraviolet transparent conductive ITO/Ga2[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(1):013002-5. |
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| Authors: | Li Ting Yan Jinliang Ding Xingwei and Zhang Liying |
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| Affiliation: | School of Physics, Ludong University, Yantai 264025, China;School of Physics, Ludong University, Yantai 264025, China;School of Physics, Ludong University, Yantai 264025, China;School of Physics, Ludong University, Yantai 264025, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | transparent conductive film bi-layer films deep ultraviolet magnetron sputtering gallium oxide indium tin oxide |
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