| 功率SiGe/Si HBT的温度特性 |
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| 引用本文： | 张万荣,王扬,金冬月,谢红云,肖盈,何莉剑,沙永萍,张蔚.功率SiGe/Si HBT的温度特性[J].微电子学,2006,36(5):611-614. |
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| 作者姓名： | 张万荣 王扬 金冬月 谢红云 肖盈 何莉剑 沙永萍 张蔚 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;北京市优秀人才培养基金;国家重点实验室基金;北京市教委科研项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目 |
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| 摘 要： | 测量了Si/SiGe HBT在23~260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况。结果表明,随电流和温度的增加,β减少,VBE随温度的变化率dVBE/dT小于同质结Si BJT。在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性。结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的。
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| 关 键 词： | SiGe/Si 异质结晶体管 温度特性 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0611-04 |
| 收稿时间： | 2006-04-26 |
| 修稿时间： | 2006-04-262006-06-30 |
Temperature Characteristics of Power Si/SiGe/Si HBT's |
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| ZHANG Wan-rong,WANG Yang,JIN Dong-yue,XIE Hong-yun,XIAO Ying,HE Li-jian,SHA Yong-ping,ZHANG Wei.Temperature Characteristics of Power Si/SiGe/Si HBT''''s[J].Microelectronics,2006,36(5):611-614. |
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| Authors: | ZHANG Wan-rong WANG Yang JIN Dong-yue XIE Hong-yun XIAO Ying HE Li-jian SHA Yong-ping ZHANG Wei |
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| Affiliation: | School of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology, Beijing, 100022, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si/SiGe Heterojunction transistor Temperature characteristics |
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