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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Trilayer Tunnel Selectors for Memristor Memory Cells
Authors:
Jiaming Zhang
Kate Norris
Gary Gibson
Kyung Min Kim
Warren Jackson
Min‐Xian Max Zhang
Zhiyong Li
J Joshua Yang
R Stanley Williams
Affiliation:
1. Hewlett Packard Laboratories, Palo Alto, CA, USA;2. Hewlett Packard Laboratories, Palo Alto, CA, USAPresent address: The Department of Electrical and Computer Engineering, University of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA
Abstract:
Keywords:
memory cells
memristor
crested barriers
tunneling
RRAM
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