| 低噪声放大器的集成设计及测试 |
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| 引用本文： | 王亮,费元春,张斌.低噪声放大器的集成设计及测试[J].电子测量技术,2007,30(12):172-174. |
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| 作者姓名： | 王亮 费元春 张斌 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学信息科学技术学院,微波技术研究所,北京,100081
2. 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 基金项目： | 在设计低噪声放大器时,建立正确的模型参数及选择合适的拓扑结构是最重要的.此外,器件结构及相关工艺也是一个MMIC设计者需要了解的.从测试结果可以看出,输出驻波比和噪声系数还有待改善,应该从PHEMT的噪声模型和电感等方面进行调整.在南京电子器件研究所设计与制作LNA期间,得到了张斌、李辉、钱峰等技术人员和尤嘉、王维波等研究生的热情帮助,在此表示感谢. |
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| 摘 要： | 根据低噪声放大器的设计原理、结合南京电子器件研究所提供的器件模型,设计了S波段单片低噪声放大器,并在该所的砷化镓(GaAs)工艺线上流片生产,最后进行了测试.在2.2～2.8 GHz,增益大于21 dB,噪声系数小于1.95 dB,输入、输出驻波比小于1.45,在2.5 GHz处1 dB压缩输出功率大于11 dBm.测试结果表明,该电路易于集成、性能可靠,但驻波比还有待改善.
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| 关 键 词： | 赝品高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 微波单片集成电路 宽带 |
Integrated design and test of low noise amplifier |
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| Wang Liang,Fei Yuanchun,Zhang Bin.Integrated design and test of low noise amplifier[J].Electronic Measurement Technology,2007,30(12):172-174. |
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| Authors: | Wang Liang Fei Yuanchun Zhang Bin |
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| Abstract: | According to theories of the low noise amplifier(LNA),an s-band low noise amplifier monolithic circuit was designed with models of Nanjing Electronic Device Institute(NEDI).The circuit was fabricated and tested by NEDI GaAs foundry.Test results are given at last:over 2.2 to 2.8GHz,the gain more than 21dB,noise figures less than 1.95dB,voltage standing wave ratio(VSWR) less than 1.45,output power P1dB more than 11dBm@2.5GHz.It can be proved that the circuit has a reliable performance and is easy to be integrated,but the VSWR should be improved. |
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| Keywords: | PHEMT low noise amplifier(LNA) MMIC wideband |
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