|
|||||
|
|
| 碳化硅单晶生长及其应用 | |
| 引用本文： | 张一鸣,龚治平.碳化硅单晶生长及其应用[J].真空电子技术,1991(1):54-58,40. |
| 作者姓名： | 张一鸣 龚治平 |
| 摘 要： | 碳化硅(SiC)可以说是半导体中最老的化合物半导体,长期以来被用作避雷器及可变电阻材料。由于它的禁带宽度大以及通过掺杂可容易进行 p 型和 n 型两种导电型的控制,将其用作可见发光(尤其是蓝色等短波长发光)元件材料具有很高的吸引力。另外,SiC 具有很好的热、化学性能和很高的抗放射性能力,故很早就被人们期望用作能在苛刻环境下使用的电子元件材料。结晶的 SiC,以 Si 和 C 原子间距0.189nm的 SP~3混成轨迹的共价键为主,但由于电负度的差异,其离子性约占12%,且由于原子最密充填时产生的重迭差,存在各种结晶形 |
| 关 键 词： | 碳化硅 单晶生长 化物合半导体 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
