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用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
引用本文:冯高明,刘波,吴良才,宋志棠,封松林,陈宝明.用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能[J].半导体学报,2007,28(7):1134-1138.
作者姓名:冯高明  刘波  吴良才  宋志棠  封松林  陈宝明
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术实验室,上海 200050;中国科学院研究生院,北京 100049;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术实验室,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术实验室,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术实验室,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 纳米技术实验室,上海 200050;美国硅存储技术公司,加州 94086
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 中国科学院基金 , 上海市科委资助项目
摘    要:为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.

关 键 词:相变存储器  W亚微米管加热电极  电学性能  疲劳特性  相变存储器  微米管  加热  电极性能  Memory  Phase  Change  Used  Electrode  Heater  电学稳定性  结果  器件失效  测试分析  疲劳特性  电极制备  使用  表征  电学性能  热电极  外径
文章编号:0253-4177(2007)07-1134-05
修稿时间:2/8/2007 3:05:55 PM

Properties of W Sub-Microtube Heater Electrode Used for PhaseChange Memory
Feng Gaoming,Liu Bo,Wu Liangcai,Song Zhitang,Feng Songlin and Chen Bomy.Properties of W Sub-Microtube Heater Electrode Used for PhaseChange Memory[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7):1134-1138.
Authors:Feng Gaoming  Liu Bo  Wu Liangcai  Song Zhitang  Feng Songlin and Chen Bomy
Affiliation:Laboratory of Nanotechnology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Graduate University,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Laboratory of Nanotechnology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Laboratory of Nanotechnology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Laboratory of Nanotechnology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Laboratory of Nanotechnology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Silicon Storage Technology Inc.,Sunnyvale,CA 94086,USA
Abstract:
Keywords:phase change memory  W sub-micron tube  electrical performance  fatigue behaviour
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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