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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究
引用本文:赵策洲,刘恩科.硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(3):221-223.
作者姓名:赵策洲  刘恩科
作者单位:西安电子科技大学微电子所,西安交通大学电子工程系
摘    要:分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。

关 键 词:GaAsAl  MOCVD  光波导  砷化镓

INVESTIGATION OF Si BASED GaAs/GaAlAs PLANAR OPTICAL WAVEGUIDE
Zhao Cezhou,Zhu Zhuoyun,Li Yaojing.INVESTIGATION OF Si BASED GaAs/GaAlAs PLANAR OPTICAL WAVEGUIDE[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1996,15(3):221-223.
Authors:Zhao Cezhou  Zhu Zhuoyun  Li Yaojing
Abstract:
Keywords:GaAs/GaAlAs/GaAs/Si structure  MOCVD  optical waveguide    
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