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孔式磁流变阻尼器的磁路改进设计与仿真分析
引用本文:祝世兴,吴伟,刘斌勇.孔式磁流变阻尼器的磁路改进设计与仿真分析[J].机床与液压,2015,43(4).
作者姓名:祝世兴  吴伟  刘斌勇
作者单位:中国民航大学航空工程学院,天津,300300
摘    要:对传统的孔式磁流变阻尼器的磁路进行了改进设计,使得作用磁场全通道有效,并用ANSYS建立了磁路仿真模型,仿真研究了不同结构下磁路的路径和磁感应强度及不同参数下阻尼孔附近的磁通密度。通过优化分析得出最好的结构参数,使得全通道的磁感应强度都达到要求的0.5 T。结果表明,所设计的磁流变阻尼器的磁场利用率比一般的磁流变阻尼器高达1倍。

关 键 词:磁流变  ANSYS  磁路改进设计

Magnetic Circuit Improving Design and Simulation Analysis for MR Damper of Hole-type
ZHU Shixing,WU Wei,LIU Binyong.Magnetic Circuit Improving Design and Simulation Analysis for MR Damper of Hole-type[J].Machine Tool & Hydraulics,2015,43(4).
Authors:ZHU Shixing  WU Wei  LIU Binyong
Abstract:
Keywords:Magneto-rheological  ANSYS  Magnetic circuit improved design
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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