| 应力诱导碳纳米管电阻的变化 |
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| 引用本文： | 王万录,王永田,廖克俊,刘高斌,李勇,马勇.应力诱导碳纳米管电阻的变化[J].微纳电子技术,2003,40(7):514-516. |
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| 作者姓名： | 王万录 王永田 廖克俊 刘高斌 李勇 马勇 |
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| 作者单位： | 重庆大学应用物理系,重庆,400044 |
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| 摘 要： | 利用三点弯曲法研究了掺杂和末掺杂碳纳米管薄膜应力诱导电阻的变化。该研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学汽相沉积法合成的。实验结果表明，碳纳米管有显著的应力诱导电阻变化的效应。当应力从0．2GPa增加到1GPa时，膜的电阻相对变化从7％增加到11％，而非掺杂的薄膜电阻变化小于掺杂膜的情况。电阻随应力变化的原因也许是带隙变化(掺杂)和管之间接触电阻变化(非掺杂)所致。
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| 关 键 词： | 碳纳米管 应力 电阻 热灯丝 CVD 三点弯曲法 化学汽相沉积法 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0514-03 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
Stress-induced resistance changes in carbon nanotubes |
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