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Zn缺位对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷性能的影响
引用本文:张玉芹,周晓华,杨新石,孙成礼,张树人.Zn缺位对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷性能的影响[J].压电与声光,2016,38(1):130-133.
作者姓名:张玉芹  周晓华  杨新石  孙成礼  张树人
作者单位:(电子科技大学 电子薄膜与集成器件重点实验室,四川 成都 610054)
基金项目:中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2012J035)
摘    要:采用传统固相反应法制备了Ba(Co0.58Y0.02Zn0.4-x)1/3Nb2/3O3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.06)陶瓷,系统研究了Zn缺位对陶瓷的物相组成、微观结构和微波介电性能的影响。X线衍射(XRD)结果表明所有配方陶瓷的主晶相均为BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN),并存在不同量的第二相Ba8CoNb6O24,适量的Zn缺位可提高BCZN体系的有序度,x=0.02时,其有序度最大。电镜扫描(SEM)结果表明适量的Zn缺位可促进烧结致密化,但Zn缺位过多,会使第二相增多,陶瓷的致密度恶化。随着x的增加,陶瓷的介电常数(εr)基本不变,但品质因数与频率的乘积(Q×f)得到了有效的改善,谐振频率温度系数(τf)先减小后增大。当x=0.02时,BCZN体系陶瓷的εr=35.12,Q×f=52 678GHz,τf=3.28×10-6/℃。

关 键 词:微波介质陶瓷  BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN)  Zn缺位  Ba8CoNb6O24

The Effects of Zn Deficiency on Microwave Dielectric Properties of Ba(Co0.6Zn0.4)1/3Nb2/3O3 Ceramics
ZHANG Yuqin,ZHOU Xiaohu,YANG Xinshi,SUN Chengli and ZHANG Shuren.The Effects of Zn Deficiency on Microwave Dielectric Properties of Ba(Co0.6Zn0.4)1/3Nb2/3O3 Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2016,38(1):130-133.
Authors:ZHANG Yuqin  ZHOU Xiaohu  YANG Xinshi  SUN Chengli and ZHANG Shuren
Affiliation:(State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China)
Abstract:
Keywords:microwave dielectric ceramics  BCZN  Zn deficiency  Ba8CoNb6O24
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