Ⅰ类-Ⅱ类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽 |
| |
引用本文: | 刘伟,罗克俭,江德生,张耀辉,杨小平.Ⅰ类-Ⅱ类混合GaAs/AlAs量子阱中自由载流子散射导致的激子展宽[J].半导体学报,1995,16(8):623-626. |
| |
作者姓名: | 刘伟 罗克俭 江德生 张耀辉 杨小平 |
| |
作者单位: | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 |
| |
摘 要: | 我们在Ⅰ类-Ⅱ类混合GaAs/AlAs非对称量子阱结构的样品上,在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累.利用光致发光方法详细地研究了自由载流子散射对激子展宽的贡献,发现低温下随着载流子密度的增加,载流子散射导致的激子展宽随之增加,在一定激发光强下光荧光谱上出现77K激子线宽大于室温激子线宽的现象.我们根据载流子对激子态的散射理论进行了计算,发现实验结果和理论预言符合得很好。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|