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| Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究 | |
| 引用本文： | 亓文杰,李炳宗,黄维宁,顾志光,张翔九,盛篪,胡际璜,吕宏强,卫星,沈孝良.Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究[J].半导体学报,1994,15(8):524-532. |
| 作者姓名： | 亓文杰 李炳宗 黄维宁 顾志光 张翔九 盛篪 胡际璜 吕宏强 卫星 沈孝良 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，复旦大学表面物理实验室，复旦大学测试分析中心 |
| 摘 要： | 本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ |
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