| （英）一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析 |
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| 引用本文： | 杨佳,金湘亮,杨红姣,汤丽珍,刘维辉.（英）一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析[J].红外与毫米波学报,2016,35(4):394-397. |
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| 作者姓名： | 杨佳 金湘亮 杨红姣 汤丽珍 刘维辉 |
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| 作者单位： | 湘潭大学物理与光电工程学院、湖南省微光电与系统集成实验室,湘潭大学物理与光电工程学院、湖南省微光电与系统集成实验室,湘潭大学物理与光电工程学院、湖南省微光电与系统集成实验室,湘潭大学物理与光电工程学院、湖南省微光电与系统集成实验室,湘潭大学物理与光电工程学院、湖南省微光电与系统集成实验室 |
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| 摘 要： | 基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8 μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.
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| 关 键 词： | 单光子雪崩二极管（SAPD） 边缘击穿（PEB） 互补金属氧化物半导体（CMOS） |
| 收稿时间： | 2015/8/23 0:00:00 |
| 修稿时间： | 3/9/2016 12:00:00 AM |
Design and analysis of a novel low dark count rate SPAD |
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| YANG Ji,JIN Xiang-Liang,YANG Hong-Jiao,TANG Li-Zhen and LIU Wei-Hui.Design and analysis of a novel low dark count rate SPAD[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35(4):394-397. |
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| Authors: | YANG Ji JIN Xiang-Liang YANG Hong-Jiao TANG Li-Zhen and LIU Wei-Hui |
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| Affiliation: | School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University,School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University,Hunan Engineering Laboratory for Microelectronics, Optoelectronics and System on a Chip,School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University,Hunan Engineering Laboratory for Microelectronics, Optoelectronics and System on a Chip,School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University,Hunan Engineering Laboratory for Microelectronics, Optoelectronics and System on a Chip,School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University,Hunan Engineering Laboratory for Microelectronics, Optoelectronics and System on a Chip |
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