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退火温度对PVDF薄膜结构的影响及其性能研究
引用本文:仝金雨,姜胜林,刘栋,金学淼.退火温度对PVDF薄膜结构的影响及其性能研究[J].功能材料,2006,37(10):1569-1571.
作者姓名:仝金雨  姜胜林  刘栋  金学淼
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 新世纪优秀人才支持计划
摘    要:通过拉伸工艺,在不同的退火温度下,制备了PVDF薄膜,用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜β相含量的影响.实验结果表明,退火温度为120℃时,β相的含量达到最大值,薄膜呈现明显的铁电性,矫顽场接近1.0mV/cm,电位移D为5μC/cm2.在25℃时,薄膜的热释电系数p为0.3×10-8C/cm2·K.

关 键 词:PVDF  热释电性  铁电性
文章编号:1001-9731(2006)10-1569-03
收稿时间:2006-04-07
修稿时间:2006-08-08

Study on influence of anneal temperature on PVDF films and their performance
TONG Jin-yu,JIANG Sheng-lin,LIU Dong,JIN Xue-miao.Study on influence of anneal temperature on PVDF films and their performance[J].Journal of Functional Materials,2006,37(10):1569-1571.
Authors:TONG Jin-yu  JIANG Sheng-lin  LIU Dong  JIN Xue-miao
Abstract:
Keywords:PVDF  pyroelectricity  ferroelectricity
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