| 单晶硅的电化学钝化 |
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| 引用本文： | 杨军,邓薰南,许六妹.单晶硅的电化学钝化[J].材料研究学报,1989,3(6):549-552. |
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| 作者姓名： | 杨军 邓薰南 许六妹 |
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| 作者单位： | 上海科学技术大学化学系，上海科学技术大学，上海科学技术大学 上海市 201800 |
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| 摘 要： | 常温下,用电化学氧化法在单晶硅表面形成 SiO_2钝化膜,钝化液可为有机溶液或纯水,控制电压能调节钝化膜厚度。测试并比较了钝化膜的基本性能。
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| 关 键 词： | 单晶硅 钝化 钝化膜 |
| 收稿时间： | 1989-12-25 |
| 修稿时间： | 1989-12-25 |
ELECTROCHEMICAL PASSIVATION OF MONOCRYSTAL SILICON |
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| YANG Jun DENG Xunnan XU Liumei.ELECTROCHEMICAL PASSIVATION OF MONOCRYSTAL SILICON[J].Chinese Journal of Materials Research,1989,3(6):549-552. |
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| Authors: | YANG Jun DENG Xunnan XU Liumei |
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| Affiliation: | Shanghai University of Science and Technology |
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| Abstract: | Thin film of silicon dixide can be grown on the surface of sili-con by electrochemical oxidation at room temperature.The electrolyte for pa-ssivation may be organic solution or pure water.The thickness of oxidicfilm is changed by controlling the voltage.The infrared absorption,character-istics of MOS capacitors and the breakdown voltage of passive films have be-en measured. |
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| Keywords: | monocrystal silicon passivation passive film |
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