| 高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究 |
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| 引用本文： | 韦伦存,丁富荣.高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究[J].核技术,1994,17(3):140-144. |
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| 作者姓名： | 韦伦存 丁富荣 |
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| 作者单位： | 北京大学 |
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| 摘 要： | 在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０＾１５／ｃｍ＾２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０＾１５／ｃｍ＾２）的＾１６Ｏ，使氧在约１．５－２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００－８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０＾８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当
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| 关 键 词： | 砷化镓 电阻率 离子注入 高能 损伤 |
Resistivity and damage annealing of high energy(MeV) oxygen ion implanted semi-insulating GaAs |
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| Wei Luncun, Ding Furong.Resistivity and damage annealing of high energy(MeV) oxygen ion implanted semi-insulating GaAs[J].Nuclear Techniques,1994,17(3):140-144. |
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| Authors: | Wei Luncun Ding Furong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | High energy implantation GaAs Oxygen Resistivity Damage Profile |
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