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纳米结构TiO2/聚3-甲基噻吩多孔膜电极光电化学研究
引用本文:郝彦忠,武文俊.纳米结构TiO2/聚3-甲基噻吩多孔膜电极光电化学研究[J].功能材料,2004,35(Z1):1876-1879.
作者姓名:郝彦忠  武文俊
作者单位:1. 河北科技大学,理学院,河北,石家庄,050018;河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018
2. 河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018
基金项目:国家自然科学基金资助项目(20203008);河北省自然基金资助项目(202351);河北省教育厅博士基金资助项目(110611)
摘    要:用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-甲基噻吩(PMeT)膜电极和ITO/TiO2/PMET复合膜电极的光电转换性质.结果表明,PMET膜导带位置为-3.44eV,禁带宽度为1.93eV.修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率.

关 键 词:TiO2/PMET复合膜电极  光电化学  导电聚合物
文章编号:1001-9731(2004)增刊-1876-04
修稿时间:2004年5月25日

Photoelectrochemical studies on the nanostructured TiO2/pmet film electrode
HAO Yan-zhong,WU Wen-jun.Photoelectrochemical studies on the nanostructured TiO2/pmet film electrode[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):1876-1879.
Authors:HAO Yan-zhong  WU Wen-jun
Abstract:
Keywords:
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