| Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究 |
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| 引用本文： | 常勇,褚君浩,唐文国,沈文忠,汤定元,叶润清.Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究[J].半导体学报,1997,18(4):258-263. |
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| 作者姓名： | 常勇 褚君浩 唐文国 沈文忠 汤定元 叶润清 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室!上海，200083，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室!上海，200083，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室!上海，200083，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室!上海，200083，中国科学院上海 |
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| 摘 要： | 利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂在Hg1－xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级，并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来．
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