用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性 |
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引用本文: | 熊卫华,熊祖洪,陆日方.用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性[J].半导体学报,2001,22(9). |
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作者姓名: | 熊卫华 熊祖洪 陆日方 |
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摘 要: | 利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳公式,对照PL谱和单层多孔硅的光电流谱,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释.
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关 键 词: | 光电流 多孔硅微腔 PL谱 |
Absorption of Porous Silicon Microcavitiesvia Photocurrent Measurement |
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