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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
引用本文:熊卫华,熊祖洪,陆日方.用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性[J].半导体学报,2001,22(9).
作者姓名:熊卫华  熊祖洪  陆日方
摘    要:利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳公式,对照PL谱和单层多孔硅的光电流谱,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释.

关 键 词:光电流  多孔硅微腔  PL谱

Absorption of Porous Silicon Microcavitiesvia Photocurrent Measurement
Abstract:
Keywords:
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