| 衬底热空穴耦合的薄栅TDDB效应 |
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| 引用本文： | 刘红侠,郝跃,张进城.衬底热空穴耦合的薄栅TDDB效应[J].半导体学报,2001,22(10). |
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| 作者姓名： | 刘红侠 郝跃 张进城 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所, |
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| 摘 要： | 通过衬底热空穴(SHH,Substrate Hot Hoel)注入技术,对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.与通常的F-N应力实验相比,SHH导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性.其击穿电荷要比F-N隧穿的击穿电荷大得多,栅氧化层的击穿电荷量与注入的空穴流密度和注人时空穴具有的能量以及栅电压有关.这些新的实验结果表明F-N应力导致的薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定.提出了一个全新的衬底热空穴耦合的TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)模型.
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| 关 键 词： | 薄栅氧化层 经时击穿 衬底热空穴 击穿电荷 模型 |
Substrate Hot Hole Coupled TDDB Effects of Thin Gate |
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