|
|||||
|
|
| 一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET | |
| 引用本文： | 刘英坤,梁春广,王长河,李思渊.一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET[J].半导体学报,2001,22(7). |
| 作者姓名： | 刘英坤 梁春广 王长河 李思渊 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学物理系;河北半导体研究所 2. 河北半导体研究所, 3. 兰州大学物理系, |
| 摘 要： | 采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力. |
| 关 键 词： | 抗辐射加固 双层栅介质 功率VDMNOSFET |
A Radiation Hardened Power Device--VDMNOSFET |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
