| InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究 |
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| 引用本文： | 邓惠勇,方维政,洪学鹍,戴宁.InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究[J].红外与毫米波学报,2007,26(1):5-9. |
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| 作者姓名： | 邓惠勇 方维政 洪学鹍 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10334030,60221502) |
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| 摘 要： | 采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5~5.5 eV光子能量范围采用紫外—可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S.Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1 Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λ5v→Λ6c(或L4v.5→L6c)和Λ6v→Λc6(或L6v→L6c)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.
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| 关 键 词： | InAsSb 光学常数 椭偏光谱 液相外延 |
| 文章编号： | 1001-9014（2007）01-0005-05 |
| 收稿时间： | 2006-05-30 |
| 修稿时间： | 2006-11-27 |
INVESTIGATIONS ON OPTICAL PROPERTIES OF InAs0.96Sb0.04 INFRARED THIN FILMS |
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| DENG Hui-Yong,FANG Wei-Zheng,HONG Xue-Kun,DAI Ning.INVESTIGATIONS ON OPTICAL PROPERTIES OF InAs0.96Sb0.04 INFRARED THIN FILMS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2007,26(1):5-9. |
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| Authors: | DENG Hui-Yong FANG Wei-Zheng HONG Xue-Kun DAI Ning |
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| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAsSb optical constants ellipsometric spectra liquid phase epitaxy |
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