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| Ⅲ族铟源对LP—MOVPE方法生长In1—xGaxAs材料的影响 | |
| 引用本文： | 祝进田,胡礼中.Ⅲ族铟源对LP—MOVPE方法生长In1—xGaxAs材料的影响[J].半导体学报,1994,15(6):393-396. |
| 作者姓名： | 祝进田 胡礼中 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | LP－MOVPE法 铟 In1－xGaxAs 材料 |
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