介质光学厚度对一维光子晶体缺陷模的影响

利用传输矩阵法理论，研究介质光学厚度对一维光子晶体（AB）5（ACB）2（AB）5缺陷模的影响，结果表明：随着介质A、B或C的光学厚度按奇数倍、偶数倍增大时，光子晶体主禁带中的缺陷模均向禁带中心移动，出现缺陷模向禁带中心简并的趋势，且光学厚度按奇数倍增加时简并的趋势更明显，同时缺陷模移动速度以A介质光学厚度奇数倍增大时为最快；当介质A、B或C的光学厚度按奇或偶倍数增大到一定数值时，均出现对称分布于禁带中心两侧的新缺陷模，而且光学厚度按偶数倍增大时出现的新缺陷模要比偶数倍增大时的快。介质光学厚度对光子晶体缺陷模的影响规律，对光子晶体设计窄带多通道光学滤波器件、高灵敏度光学开关等具有积极的参考意义。