| SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究 |
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| 引用本文： | 刘技文,李娟,赵燕平,李延辉,李昌龄,许京军.SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究[J].光电子．激光,2005,16(3):274-278. |
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| 作者姓名： | 刘技文 李娟 赵燕平 李延辉 李昌龄 许京军 |
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| 作者单位： | 南开大学物理学院,天津,300071;天津理工大学材料科学与工程学院,天津,300191;天津理工大学材料物理研究所,天津,300191;天津理工大学材料科学与工程学院,天津,300191;南开大学物理学院,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10074049)，天津市自然科学基金资助项目(023801611) |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射及后退火(800℃、1000℃和1200℃)方法，在Si(111)衬底上制备出了SiC纳米晶(nc-SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明，制备出的nc-SiC薄膜具有立方结构；样品经800℃、1000℃退火后，表面的纳米晶粒分别为10nm和20nm左右；而1200℃退火后，样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明，nc-SiC薄膜室温条件下发射蓝光，发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大；1000℃退火后样品的发光峰在478nm，800℃退火后发光峰在477nm，800℃退火比1000℃退火的样品发光强度高4倍。
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| 关 键 词： | SiC 射频磁控溅射 退火 纳米晶薄膜 光致发光(PL) |
| 文章编号： | 1005-0086(2005)03-0274-05 |
Preparation and Photoluminescence of SiC Nanocrystal Films |
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| LIU Ji-wen.Preparation and Photoluminescence of SiC Nanocrystal Films[J].Journal of Optoelectronics·laser,2005,16(3):274-278. |
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| Authors: | LIU Ji-wen |
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| Affiliation: | LIU Ji-wen~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC RF magnetron sputtering annealing nanocrystal film photoluminescence(PL) |
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