|
|||||
|
|
| MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光 | |
| 引用本文： | 董建荣,陆大成,汪度,王晓晖,刘祥林,王占国.MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光[J].半导体学报,1996,17(4):252-256. |
| 作者姓名： | 董建荣 陆大成 汪度 王晓晖 刘祥林 王占国 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽． |
| 关 键 词： | MOVPE法 AlGaAs GaAs 量子阱结构 光致发光 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
