用于宽带和高功率系统的锥形半导体光放大器

对用于超宽带系统的具有非均匀量子阱结构的１．５μｍＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ锥形半导体光放大器进行了研究。研究发现，通过使量子陆的厚度这一参数达到最优值，可以获得超过１００ｎｍ的平坦增益带宽。