| 一种新颖的应变Si沟道pMOSFET制作技术 |
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| 引用本文： | 张静,徐婉静,谭开洲,李荣强,李开成,刘道广,刘伦才.一种新颖的应变Si沟道pMOSFET制作技术[J].半导体学报,2006,27(13):235-238. |
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| 作者姓名： | 张静 徐婉静 谭开洲 李荣强 李开成 刘道广 刘伦才 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060；中国电子科技集团集团第24所，重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060；中国电子科技集团集团第24所，重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060；中国电子科技集团集团第24所，重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060；中国电子科技集团集团第24所，重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060；中国电子科技集团集团第24所，重庆 400060;模拟集成电路国家重点实验室，重庆 400060；中国电子科技集团集团第24所，重庆 400060 |
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| 摘 要： | 在应变Si沟道异质结场效应晶体管（HFET）制作过程中，引入分子束外延（MBE）低温Si (LT-Si）技术，大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度. TEM结果表明，应变Si层线位错密度低于1E6cm-2.原子力显微镜（AFM）测试表明，其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明，与相同条件下的体Si pMOSFET相比，空穴迁移率提高了25%.
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| 关 键 词： | 应变Si SiGe 异质结场效应晶体管 分子束外延 弛豫 |
A Novel Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET |
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| Zhang Jing,Xu Wanjing,Tan Kaizhou,Li Rongqiang,Li Kaicheng,Liu Daoguang and Liu Luncai.A Novel Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):235-238. |
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| Authors: | Zhang Jing Xu Wanjing Tan Kaizhou Li Rongqiang Li Kaicheng Liu Daoguang and Liu Luncai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strained Si SiGe heterojunction field effect transistor molecular beam |
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