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深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计(上)
引用本文:李逍波,潘松.深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计(上)[J].中国集成电路,2004(2):68-78.
作者姓名:李逍波  潘松
摘    要:随着IC设计逐步进入VDSM阶段,SOC逐步成为设计的主流,IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时,主要关注芯片面积的大小;在80年代后期,延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题;进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题;近来制造中的成品率(Yjeld),芯片工作中的可靠性,以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。

关 键 词:深亚微米工艺  集成电路  电磁兼容性  设计  电磁干扰噪声
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