| 固态碳源温度对CVD法生长石墨烯薄膜影响的研究 |
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| 引用本文： | 尤佳毅,沈鸿烈,吴天如,谢晓明.固态碳源温度对CVD法生长石墨烯薄膜影响的研究[J].真空科学与技术学报,2015,35(1):109-113. |
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| 作者姓名： | 尤佳毅 沈鸿烈 吴天如 谢晓明 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院;南京航空航天大学纳智能材料器件教育部重点实验室;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61176062);江苏省产学研前瞻性联合研究项目(BY2013003-08);中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室开放课题的资助项目;江苏高校优势学科建设工程资助项目 |
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| 摘 要： | 以聚苯乙烯为固态碳源,抛光铜箔为衬底,通过改变固态碳源的温度探索了固态碳源温度对双温区化学气相沉积法生长石墨烯的影响。样品采用拉曼散射光谱、紫外-可见分光光度计和扫描电子显微镜进行了表征。结果表明,固态碳源温度的变化直接影响了气相碳源浓度,通过控制固态碳源温度,可以控制所得石墨烯的层数。固态碳源动态变温生长能够在生长的起始阶段降低石墨烯形核密度,同时打破晶粒长大时氢气刻蚀速率与石墨烯生长速率的动态平衡,可以有效地提升石墨烯的覆盖率。最终在衬底温度为1000℃条件下使用固态碳源动态变温制备了I2D/IG达到2.91,透过率为97.6%的高质量单层石墨烯薄膜。
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| 关 键 词： | 石墨烯 固态碳源 动态变温 化学气相沉积 |
Effect of Solid-Carbon Source Temperature on Graphene Growth by Chemical Vapor Deposition |
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| You Jiayi;Shen Honglie;Wu Tianru;Xie Xiaoming.Effect of Solid-Carbon Source Temperature on Graphene Growth by Chemical Vapor Deposition[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2015,35(1):109-113. |
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| Authors: | You Jiayi;Shen Honglie;Wu Tianru;Xie Xiaoming |
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| Affiliation: | You Jiayi;Shen Honglie;Wu Tianru;Xie Xiaoming;College of Materials Science & technology,Nanjing University of Aeronautics&Astronautics;Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Graphene Solid carbon source Dynamic temperature CVD |
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