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高压热处理对氧沉淀低温形核的影响
引用本文:徐进,杨德仁,马向阳,李春龙,阙端麟,A.Misiuk.高压热处理对氧沉淀低温形核的影响[J].半导体学报,2002,23(4):394-398.
作者姓名:徐进  杨德仁  马向阳  李春龙  阙端麟  A.Misiuk
作者单位:1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027,中国;2. 波兰科学院电子技术研究所,华沙,波兰
基金项目:国家自然科学基金;50032010;
摘    要:研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成.电学性能测试表明,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系.

关 键 词:高压  氧沉淀  热施主  
文章编号:0253-4177(2002)04-0394-05
修稿时间:2001年7月4日

Influence of High Pressure Heat Treatment on Nucleation of Oxygen Precipitation at Low Temperature in CZ Silicon
Xu Jin,Yang Deren,Ma Xiangyang,Li Chunlong,Que Duanlinand A.Misiuk.Influence of High Pressure Heat Treatment on Nucleation of Oxygen Precipitation at Low Temperature in CZ Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(4):394-398.
Authors:Xu Jin  Yang Deren  Ma Xiangyang  Li Chunlong  Que Duanlinand AMisiuk
Affiliation:Xu Jin1,Yang Deren1,Ma Xiangyang1,Li Chunlong1,Que Duanlin1and A.Misiuk2
Abstract:
Keywords:high pressure  oxygen precipitation  thermal donor  silicon
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