| 2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件 |
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| 引用本文： | 罗毅,孙长征,文国鹏,李同宁,杨新民,吴又生,王任凡,王彩玲,黄涛,金锦炎.2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件[J].半导体学报,1999(5). |
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| 作者姓名： | 罗毅 孙长征 文国鹏 李同宁 杨新民 吴又生 王任凡 王彩玲 黄涛 金锦炎 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系，武汉电信器件公司 |
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| 摘 要： | 本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上，进一步对器件的性能进行了改进，并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ，边模抑制比大于４０ｄＢ，耦合输出光功率大于２ｍＷ，在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后，在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．
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