| 同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响 |
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| 引用本文： | 季航,赵特秀,王晓平,吴建新,徐彭寿,陆尔东,许振嘉.同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响[J].半导体学报,1995,16(5):395-400. |
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| 作者姓名： | 季航 赵特秀 王晓平 吴建新 徐彭寿 陆尔东 许振嘉 |
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| 作者单位： | [1]中国科学技术大学物理系，合肥230026 [2]中国科学技术大 |
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| 摘 要： | 利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显的催化氮化作用，即使采用Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／ＩｎＰ（１００）的类多层结构，在室温下也只有极少量的氨化物形成，而无明显的催化氮化反应发生．碱金属吸附层对Ⅲ－Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制，碱金属对元素半导体的催化氮化反应，吸附的碱金属与元素半
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| 关 键 词： | 磷化铟 半导体表面 氮化反应 光电子能谱 钠 |
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