| V^5＋取代对Mg4（SbNb1-xVx）O9陶瓷介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 姚国光,刘鹏.V^5＋取代对Mg4（SbNb1-xVx）O9陶瓷介电性能的影响[J].无机材料学报,2008,23(5). |
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| 作者姓名： | 姚国光 刘鹏 |
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| 作者单位： | 1. 西安邮电学院,应用数理系,西安,710121
2. 陕西师范大学,物理与信息技术学院,西安,710062 |
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| 摘 要： | 研究了不同V5 含量Mg4(SbNb1-xVx)O9MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V5 取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V5 针含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数Tf逐渐减小,这是由于V5 的取代使得B位键价增强所致.在x=0.15,1250℃烧结,可获得εr=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),Tf=-23.3x10-6.K-1的新型微波介质陶瓷.
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| 关 键 词： | 微波介质陶瓷 介电性能 |
Effects of V5+ Substitution on the Dielectric Properties of Mg4(SbNb1-xVx)O9 Ceramics |
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| YAO Guo-Guang,LIU Peng.Effects of V5+ Substitution on the Dielectric Properties of Mg4(SbNb1-xVx)O9 Ceramics[J].Journal of Inorganic Materials,2008,23(5). |
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| Authors: | YAO Guo-Guang LIU Peng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg4(SbNb1-xVx)O9 |
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