宽禁带Ⅱ-Ⅵ族四元合金Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)成分的定量俄 |
| |
引用本文: | 靳彩霞,凌震,诸长生,俞根才,王杰,赵国珍.宽禁带Ⅱ-Ⅵ族四元合金Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)成分的定量俄[J].半导体学报,1996,17(9):646-650. |
| |
作者姓名: | 靳彩霞 凌震 诸长生 俞根才 王杰 赵国珍 |
| |
作者单位: | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海材料研究所 |
| |
摘 要: | 用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)薄膜.在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射研究后,提出了一种确定四元合金Zn(1-x)MgxSySe(1-y)组分的方法,即:利用ZnSySe(1-y)和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和喇曼散射测得标准样品ZnSySe(1-y)中的S组分,再根据ZnSySe(1-y)和MgSe的俄歇谱图,对各元素的相对灵敏度因子进行修正,然后利用相对灵敏度因子法比较精确地走出四元合金Zn(
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|